Microchip宣布推出碳化硅(SiC)产品,助力打造靠得住的高压电子设备

>2019-05-19 07:56:00 来源:EEFOCUS
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跟着市场对SiC技术的效力和功率密度的请求赓续上升,新推出的700V  MOSFET和700V、1200V  SBD可为客户供给更多抉择
 
汽车、工业、太空和国防领域越来越必要能晋升体系效力、持重性和功率密度的SiC功率产品。今日,Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)颠末过程其子公司Microsemi(美高森美)宣布推出一系列SiC功率器件。该系列器件具有优越的耐用性,和宽带隙技术优势。它咱咱们将与Microchip各种单片机和模拟解决计划构成优势互补,加入Microchip赓续壮大的SiC产品组合,称心电动汽车和其余大功率应用领域敏捷睁开的市场必要。
 
Microchip的700V SiC MOSFET和700V、1200V SiC肖特基势垒二极管(SBD)将加入公司现有的SiC功率模块产品组合。该组合新增的超过35款分立器件产品均已实现量产,并颠末过程了严厉的耐用性测试,Microchip可供给全面的开拓效劳、对象和参考设计支撑。Microchip目前供给额定电压、额定电流和各种封装的SiC裸片、分立器件和功率模块。
 
Microchip分立器件和功率产品办理事业部高级副总裁Rich Simoncic说:“SiC技术的演变和应用已开端加快睁开,Microchip深耕这一市场多年,不停极力于称心全球市场对SiC产品日益增长的必要,对峙全球抢先的地位。咱咱咱们利用靠得住的产品来构建产品组合,并供给壮大的基础架构和供给链支撑,以称心客户履行和调剂产品开拓计划的必要。”
 
Microchip的SiC MOSFET和SBD可以或许或许加倍高频高效地实现开关操纵,并颠末过程各级别的耐用性测试,这对付包管产品的长期靠得住性至关重要。感应开关(UIS)耐用性测试(该项测试旨在衡量雪崩情形下,即电压峰值超过器件的击穿电压,器件的退化和过早失效机能)表明,Microchip SiC SBD机能比其余SiC二极管高出20%阁下。另外,Microchip的SiC MOSFET在机能方面同样优于同类产品,其具有优越的栅氧化层防护能力和通道完备性,即使在阅历10万次重复UIS(RUIS)测试后,其参数仍能维持在正常程度。
 
Microchip是全球仅有的能同时供给硅和SiC分立器件/模块解决计划的供给商之一。该公司的产品(包含内部充电站、车内充电器、直流-直流变换器和能源体系/牵引力节制解决计划)能很好的称心电动汽车体系日益增多的必要。新型SiC器件将采纳Microchip的客户为导向的产品淘汰机制,Microchip将根据客户必要来决定是否持续临盆此类产品。
 
供货
Microchip将为该SiC产品组合供给一系列支撑,例如各种SiC SPICE模块、SiC驱动板参考设计和一套功率因数校正(PFC)Vienna整流器的参考设计等。Microchip的统统SiC产品及其相干配件均已实现量产。另外,另有针对SiC MOSFET和SiC二极管制定的各种裸片和封装计划,可供客户抉择。
 
如欲了解定价等更多信息,请联系Microchip的出售代表或全球受权分销商,或访问Microsemi的SiC产品网站。如欲购买上述产品,请联系Microchip的受权分销商。
 
 
 
 
资源
可颠末过程Flickr或编辑机构的联系人获得高分辨率图像(免费发布):
 
?  应用图:https://www.flickr.com/photos/microchiptechnology/33752618868
 
?  芯片图:https://www.flickr.com/photos/microchiptechnology/46905654554
 
?  框架图:https://www.flickr.com/photos/microchiptechnology/47577154982/
 
 
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