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产品介绍

Infineon Technologies CoolGaN?氮化镓HEMT

制作商:Infineon Technologies

Infineon CoolGaN?氮化镓HEMT具有诸多优势,包含超高效力、靠得住性、功率密度和相对付硅的极高品格。CoolGaN晶体管采纳极其靠得住的技术,设计用于实现开关情势电源中的超高效力和功率密度。这些器件的工作办法类似于采纳p-GaN栅极布局和增强情势栅极驱动偏置的传统硅MOSFET。

Infineon CoolGaN品格出众,非常得当用于硬开关和软开关拓扑布局。CoolGaN支撑针对PFC来调剂更简略的半桥拓扑,包含消除有损输入桥式整流器。CoolGaN HEMT可为功率半导体器件供给更高的临界电。从而实现精彩的高速开关。

产品规格
产品属性 属性值 产品属性 属性值
制作商 Infineon 设置设备摆设 Single
产品种类 MOSFET 通道情势 Enhancement
技术 GaN 牌号名 CoolGaN
装配作风 SMD/SMT 封装 Cut Tape
封装 / 箱体 PG-LSON-8 封装 Reel
通道数目 1 Channel 晶体管范例 1 N-Channel
晶体管极性 N-Channel 牌号 Infineon Technologies
Vds-漏源极击穿电压 600 V 下降光阴 13 ns
Id-连续漏极电流 15 A HTS Code 8541290095
Rds On-漏源导通电阻 70 mOhms 产品范例 MOSFET
Vgs th-栅源极阈值电压 0.9 V 上升光阴 9 ns
Vgs - 栅极-源极电压 10 V 工场包装数目 3000
Qg-栅极电荷 5.8 nC 子类别 MOSFETs
最小工作温度 - 55 C 典型关闭延迟光阴 15 ns
最大工作温度 + 150 C 典型接通延迟光阴 15 ns
Pd-功率耗散 114 W 零件号别名 SP001705420
产品特性
600V功率器件的品格因数
非常得当用于硬开关和软开关拓扑
功率密度可提高三倍
颠末优化的开启和关闭情势
面向创新解决计划和大容量的技术
SMPS的超高效力
外面贴装封装可确保完全访问GaN的开关能力
各种驱动器IC产品组合,简略易用
体系框图
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